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Samsung 在剛剛舉行的 Open Compute Project 2018 峰會上,隆重展示了旗下全新為數據中心而設,容量高達 64GB 的 DDR4 記憶體,基於 Samsung 最新 16Gb (2GB) 顆粒,該設計還能夠為未來的高性能伺服器提供 128GB 及 256GB 記憶體模組。
Samsung 全新展示的 64GB DDR4 記憶體基於標準的 1.2V 電源,基於 16GB DDR4-2666MHz DRAM 晶片,屬於面向主流伺服器的 RDIMM 類型,顆粒製造工藝非常先進但未具體披露 (應該就是 10nm 級別),號稱功耗比此前的 8Gb 顆粒降低了 20%。該組 64GB 記憶體採用雙 Rank 配置,Samsung 亦正在開發 4 Rank 128GB RDIMM、8 Rank 256GB LRDIMM。
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GMT+8, 2024-5-2 05:56 PM
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